NCT首席技术官兼董事佐佐木公平先生2010-2024年间关于氧化镓的研究心得——β-Ga₂O₃的前景：现在和未来

个人介绍

佐佐木公平1981 年出生于日本仙台。2006 年，获得长冈技术大学工程硕士学位，并加入田村制作所，在期间进行了利用臭氧-MBE 和离子注入掺杂技术开发了 Ga₂O₃ 同质外延生长技术。并且对Ga₂O₃沟槽 MOSSBD、JBS 二极管和沟槽 MOSFET进行了开发工作。2016 年获得京都大学工程学博士学位。2018 年，加入NCT，利用卤化物气相外延生长的低killer缺陷密度Ga₂O₃同质外延薄膜，开发出 100 安培级的大尺寸Ga₂O₃ SBD。现担任NCT的首席技术官兼董事。

本篇综述介绍了氧化镓作为功率器件材料的研究进展，涵盖了从块状晶体生长到外延生长的发展、缺陷评估、器件工艺和开发，以上这些都是基于作者的研究经验。在过去十年左右的时间里，外延片的尺寸已经扩大到 4-6 英寸，并且也验证了肖特基势垒二极管和场效应晶体管能够进行安培级操作且击穿电压达到几kV。另一方面，氧化镓功率器件的实际应用也面临着挑战，如外延片的成本、killer缺陷、外延层的纯度等。本文全面总结了氧化镓发展的历史，不仅包括论文，还涵盖了专利和会议发表，并对这种材料的持续发展前景提出了作者的个人看法。

DOI ：

https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad6b73

本文转载自《亚洲氧化镓联盟》公众号